NTE2396A

NTE2396A

Fabrikant beschwéiert

NTE Electronics, Inc.

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CHANNEL 100V 33A TO220

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bag
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    100 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    33A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    44mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    71 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1960 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    130W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220
  • Package / Fall
    TO-220-3

NTE2396A Ufro en Devis

Op Lager 12462
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.74000
Zilpräis:
Ganzen:1.74000