A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Fabrikant beschwéiert

NXP Semiconductors

Produit Kategorie

transistoren - fets, mosfets - rf

Beschreiwung

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    GaN HEMT
  • Frequenz
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • gewannen
    16.1dB
  • Spannung - Test
    48 V
  • aktuell Bewäertung (Ampere)
    -
  • Kaméidi Figur
    -
  • aktuell - Test
    291 mA
  • Muecht - Ausgang
    180W
  • Spannung - bewäert
    125 V
  • Package / Fall
    NI-400S-2S
  • Fournisseur Apparat Package
    NI-400S-2S

A2G35S200-01SR3 Ufro en Devis

Op Lager 1145
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
264.51000
Zilpräis:
Ganzen:264.51000

Informatiounsblat