2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistoren - jfets

Beschreiwung

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Spannung - Decompte (v(br)gss)
    -
  • drain to source voltage (vdss)
    30 V
  • aktuell - drain (idss) @ vds (vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • aktuell Drain (ID) - max
    10 mA
  • Volt - Cutoff (vgs off) @ id
    180 mV @ 1 µA
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    4pF @ 10V
  • Resistenz - rds (an)
    200 Ohms
  • Muecht - max
    200 mW
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Fournisseur Apparat Package
    3-CP

2SK3666-3-TB-E Ufro en Devis

Op Lager 22155
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.47000
Zilpräis:
Ganzen:0.47000

Informatiounsblat