FGA25N120ANTDTU-F109

FGA25N120ANTDTU-F109

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 1200V 50A 312W TO3P

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    NPT and Trench
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    50 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    90 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.65V @ 15V, 50A
  • Muecht - max
    312 W
  • Energie wiesselen
    4.1mJ (on), 960µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    200 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    50ns/190ns
  • Test Zoustand
    600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    350 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3P

FGA25N120ANTDTU-F109 Ufro en Devis

Op Lager 9612
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
3.42000
Zilpräis:
Ganzen:3.42000

Informatiounsblat