FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Last Time Buy
  • igbt Typ
    NPT and Trench
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1000 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    50 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    200 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.9V @ 15V, 60A
  • Muecht - max
    156 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    257 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    34ns/243ns
  • Test Zoustand
    600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    75 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3P

FGA50N100BNTD2 Ufro en Devis

Op Lager 7761
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
7.29000
Zilpräis:
Ganzen:7.29000

Informatiounsblat