FGA60N60UFDTU

FGA60N60UFDTU

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 600V 120A 298W TO3P

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Last Time Buy
  • igbt Typ
    Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    120 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    180 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 60A
  • Muecht - max
    298 W
  • Energie wiesselen
    1.81mJ (on), 810µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    188 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    23ns/130ns
  • Test Zoustand
    400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    47 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3PN

FGA60N60UFDTU Ufro en Devis

Op Lager 8859
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.31000
Zilpräis:
Ganzen:6.31000

Informatiounsblat