FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 600V 6A 60W DPAK

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    6 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    9 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.52V @ 15V, 3A
  • Muecht - max
    60 W
  • Energie wiesselen
    52µJ (on), 30µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    1.6 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    5.5ns/22ns
  • Test Zoustand
    400V, 3A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    21 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-252, (D-Pak)

FGD3N60UNDF Ufro en Devis

Op Lager 19811
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.06000
Zilpräis:
Ganzen:1.06000

Informatiounsblat