FGH80N60FD2TU

FGH80N60FD2TU

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 600V 80A 290W TO247

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    80 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    160 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Muecht - max
    290 W
  • Energie wiesselen
    1mJ (on), 520µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    120 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    21ns/126ns
  • Test Zoustand
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    61 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

FGH80N60FD2TU Ufro en Devis

Op Lager 7163
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.74000
Zilpräis:
Ganzen:4.74000

Informatiounsblat