FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT NPT 600V 20A TO220-3

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    20 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    30 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.45V @ 15V, 10A
  • Muecht - max
    139 W
  • Energie wiesselen
    150µJ (on), 50µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    37 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    8ns/52.2ns
  • Test Zoustand
    400V, 10A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    37.7 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-220-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220-3

FGP10N60UNDF Ufro en Devis

Op Lager 15592
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.03000
Zilpräis:
Ganzen:2.03000

Informatiounsblat