H11G1TVM

H11G1TVM

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

optoisolators - transistor, photovoltaic Ausgang

Beschreiwung

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • Zuel vun Channels
    1
  • Spannung - Isolatioun
    4170Vrms
  • aktuell Transfer Verhältnis (min)
    1000% @ 10mA
  • aktuell Transfer Verhältnis (max)
    -
  • ausschalten / ausschalten Zäit (Typ)
    5µs, 100µs
  • Erhéijung / Fall Zäit (Typ)
    -
  • Input Typ
    DC
  • Ausgangstyp
    Darlington with Base
  • Spannung - Ausgang (max)
    100V
  • aktuell - Ausgang / Kanal
    -
  • Spannung - Forward (vf) (typ)
    1.3V
  • aktuell - DC weider (wann) (max)
    60 mA
  • vce saturation (max)
    1V
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Fournisseur Apparat Package
    6-DIP

H11G1TVM Ufro en Devis

Op Lager 18964
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.11000
Zilpräis:
Ganzen:1.11000

Informatiounsblat