HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Not For New Designs
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    43 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    80 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 11A
  • Muecht - max
    298 W
  • Energie wiesselen
    950µJ (on), 1.3mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    100 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    23ns/180ns
  • Test Zoustand
    960V, 11A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    70 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

HGTG11N120CND Ufro en Devis

Op Lager 9304
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
3.55000
Zilpräis:
Ganzen:3.55000

Informatiounsblat