HGTG27N120BN

HGTG27N120BN

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT NPT 1200V 72A TO247-3

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Not For New Designs
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    72 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    216 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 27A
  • Muecht - max
    500 W
  • Energie wiesselen
    2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    270 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    24ns/195ns
  • Test Zoustand
    960V, 27A, 3Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

HGTG27N120BN Ufro en Devis

Op Lager 8043
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.91000
Zilpräis:
Ganzen:6.91000

Informatiounsblat