BSO330N02KG

BSO330N02KG

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - arrays

Beschreiwung

N-CHANNEL POWER MOSFET

Spezifikatioune

  • Serie
    OptiMOS™
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    2 N-Channel (Dual)
  • fet Fonktioun
    Logic Level Gate
  • drain to source voltage (vdss)
    20V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    5.4A
  • rds op (max) @ id, vgs
    30mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.2V @ 20µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    4.9nC @ 4.5V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    730pF @ 10V
  • Muecht - max
    1.4W
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-DSO-8

BSO330N02KG Ufro en Devis

Op Lager 44429
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.23000
Zilpräis:
Ganzen:0.23000