FF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

FF200R12 - IGBT MODULE

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    2 Independent
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    -
  • Muecht - max
    1.05 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FF200R12KT3EHOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 1432
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
94.04000
Zilpräis:
Ganzen:94.04000

Informatiounsblat