FGA40T65SHDF

FGA40T65SHDF

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    80 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    120 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.81V @ 15V, 40A
  • Muecht - max
    268 W
  • Energie wiesselen
    1.22mJ (on), 440µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    68 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    18ns/64ns
  • Test Zoustand
    400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    101 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3PN

FGA40T65SHDF Ufro en Devis

Op Lager 14337
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.23000
Zilpräis:
Ganzen:2.23000

Informatiounsblat