FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    6 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    25 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.5V @ 10V, 3A
  • Muecht - max
    40 W
  • Energie wiesselen
    250µJ (on), 1mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    12.5 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    40ns/600ns
  • Test Zoustand
    480V, 3A, 470Ohm, 10V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    234 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-252, (D-Pak)

FGD3N60LSDTM-T Ufro en Devis

Op Lager 33666
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.61000
Zilpräis:
Ganzen:0.61000

Informatiounsblat