FZ800R45KL3B5NOSA2

FZ800R45KL3B5NOSA2

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

FZ800R45 - IGBT MODULE

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Configuratioun
    Half Bridge
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    4.5 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    1.6 A
  • Muecht - max
    9 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.85V @ 15V, 800A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    3.1 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -50°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FZ800R45KL3B5NOSA2 Ufro en Devis

Op Lager 868
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1828.25000
Zilpräis:
Ganzen:1828.25000

Informatiounsblat