HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    54 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    96 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 12A
  • Muecht - max
    167 W
  • Energie wiesselen
    55µJ (on), 50µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    120 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    17ns/96ns
  • Test Zoustand
    390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    30 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-263AB

HGT1S12N60A4DS Ufro en Devis

Op Lager 9651
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
3.43000
Zilpräis:
Ganzen:3.43000

Informatiounsblat