HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

N-CHANNEL IGBT

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    17 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    40 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 3A
  • Muecht - max
    70 W
  • Energie wiesselen
    37µJ (on), 25µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    21 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    6ns/73ns
  • Test Zoustand
    390V, 3A, 50Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    29 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-263AB

HGT1S3N60A4DS9A Ufro en Devis

Op Lager 12850
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.66000
Zilpräis:
Ganzen:1.66000

Informatiounsblat