Spezifikatioune

• Serie
  CoolSiC™+
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Obsolete
• diode Typ
  Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
  600 V
• aktuell - Moyenne rectified (io)
  5A (DC)
• Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
  2.3 V @ 5 A
• Vitesse
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
  0 ns
• aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
  30 µA @ 600 V
• Kapazitéit @ vr, f
  110pF @ 1V, 1MHz
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Fournisseur Apparat Package
  PG-TO252-3
• Betribssystemer Temperatur - Kräizung
  -55°C ~ 175°C