IGZ75N65H5XKSA1

IGZ75N65H5XKSA1

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGZ75N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchStop™ 5
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    119 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    300 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Muecht - max
    395 W
  • Energie wiesselen
    680µJ (on), 430µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    166 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    26ns/347ns
  • Test Zoustand
    400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-4
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TO247-4

IGZ75N65H5XKSA1 Ufro en Devis

Op Lager 11509
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.85000
Zilpräis:
Ganzen:2.85000

Informatiounsblat