IKD04N60RFATMA1

IKD04N60RFATMA1

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IKD04N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchStop™
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    8 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    12 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.5V @ 15V, 4A
  • Muecht - max
    75 W
  • Energie wiesselen
    60µJ (on), 50µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    27 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    12ns/116ns
  • Test Zoustand
    400V, 4A, 43Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    34 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TO252-3

IKD04N60RFATMA1 Ufro en Devis

Op Lager 25324
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.41000
Zilpräis:
Ganzen:0.41000

Informatiounsblat