IKW03N120H2FKSA1

IKW03N120H2FKSA1

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

DISCRETE IGBT WITH DIODE

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    9.6 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    9.9 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 3A
  • Muecht - max
    62.5 W
  • Energie wiesselen
    290µJ
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    22 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    9.2ns/281ns
  • Test Zoustand
    800V, 3A, 82Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    42 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TO247-3

IKW03N120H2FKSA1 Ufro en Devis

Op Lager 15545
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.37000
Zilpräis:
Ganzen:1.37000

Informatiounsblat