Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  P-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  150 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  2.2A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  -
• rds op (max) @ id, vgs
  240mOhm @ 1.3A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  49 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  1280 pF @ 25 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  2.5W (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  8-SO
• Package / Fall
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)