Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Tube
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  2 N-Channel (Dual)
• fet Fonktioun
  Logic Level Gate
• drain to source voltage (vdss)
  20V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  5.2A
• rds op (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  660pF @ 15V
• Muecht - max
  2W
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Fournisseur Apparat Package
  8-SO