Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  20 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  6.8A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  2.7V, 4.5V
• rds op (max) @ id, vgs
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±12V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  650 pF @ 15 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  2.5W (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  8-SO
• Package / Fall
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)