Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  150 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  41A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  10V
• rds op (max) @ id, vgs
  45mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5.5V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±30V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  2.52 pF @ 25 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  200W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-220AB
• Package / Fall
  TO-220-3