IRG7PH28UD1PBF

IRG7PH28UD1PBF

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

INSULATED GATE BIPOLAR GATE TRAS

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    30 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    100 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.3V @ 15V, 15A
  • Muecht - max
    115 W
  • Energie wiesselen
    543µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    90 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    -/229ns
  • Test Zoustand
    600V, 15A, 22Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247AC

IRG7PH28UD1PBF Ufro en Devis

Op Lager 15653
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.03000
Zilpräis:
Ganzen:2.03000

Informatiounsblat