IRG8P50N120KD-EPBF

IRG8P50N120KD-EPBF

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    80 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    105 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 35A
  • Muecht - max
    350 W
  • Energie wiesselen
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    315 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    35ns/190ns
  • Test Zoustand
    600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    170 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247AD

IRG8P50N120KD-EPBF Ufro en Devis

Op Lager 8603
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.50000
Zilpräis:
Ganzen:6.50000

Informatiounsblat