MC33151VDR2G

MC33151VDR2G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

pmic - Gate Chauffeuren

Beschreiwung

BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • ugedriwwen Configuratioun
    Low-Side
  • Kanal Typ
    Independent
  • Zuel vun Chauffeuren
    2
  • Gate Typ
    N-Channel MOSFET
  • Spannung - Versuergung
    6.5V ~ 18V
  • logesch Spannung - vil, vih
    0.8V, 2.6V
  • Stroum - Peak Output (Quell, Spull)
    1.5A, 1.5A
  • Input Typ
    Inverting
  • Héich Säit Spannung - Max (Bootstrap)
    -
  • Erhéijung / Fall Zäit (Typ)
    31ns, 32ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Fournisseur Apparat Package
    8-SOIC

MC33151VDR2G Ufro en Devis

Op Lager 30802
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.67000
Zilpräis:
Ganzen:0.67000

Informatiounsblat