MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistoren - jfets

Beschreiwung

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    P-Channel
  • Spannung - Decompte (v(br)gss)
    30 V
  • drain to source voltage (vdss)
    -
  • aktuell - drain (idss) @ vds (vgs=0)
    1.5 mA @ 15 V
  • aktuell Drain (ID) - max
    -
  • Volt - Cutoff (vgs off) @ id
    800 mV @ 10 nA
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    11pF @ 10V (VGS)
  • Resistenz - rds (an)
    300 Ohms
  • Muecht - max
    225 mW
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Fournisseur Apparat Package
    SOT-23-3 (TO-236)

MMBFJ177LT1G Ufro en Devis

Op Lager 84325
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.12000
Zilpräis:
Ganzen:0.12000

Informatiounsblat