NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Obsolete
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    800 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    2.9A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    4.5Ohm @ 1.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 50µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    17 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    440 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    96W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    I-PAK
  • Package / Fall
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD03N80Z-1G Ufro en Devis

Op Lager 25952
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.40000
Zilpräis:
Ganzen:0.40000

Informatiounsblat