NDF10N60ZH

NDF10N60ZH

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Obsolete
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    600 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    10A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    750mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 100µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    68 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1.645 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    39W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220FP
  • Package / Fall
    TO-220-3 Full Pack

NDF10N60ZH Ufro en Devis

Op Lager 40110
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.51000
Zilpräis:
Ganzen:0.51000

Informatiounsblat