NE5550779A-T1-A

NE5550779A-T1-A

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistoren - fets, mosfets - rf

Beschreiwung

RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • Transistor Typ
    LDMOS
  • Frequenz
    900MHz
  • gewannen
    22dB
  • Spannung - Test
    7.5 V
  • aktuell Bewäertung (Ampere)
    2.1A
  • Kaméidi Figur
    -
  • aktuell - Test
    140 mA
  • Muecht - Ausgang
    38.5dBm
  • Spannung - bewäert
    30 V
  • Package / Fall
    4-SMD, Flat Leads
  • Fournisseur Apparat Package
    79A

NE5550779A-T1-A Ufro en Devis

Op Lager 12709
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.56000
Zilpräis:
Ganzen:2.56000

Informatiounsblat