NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - bipolar (bjt) - Arrays, Pre-biased

Beschreiwung

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    100mA
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    50V
  • Resistor - Base (r1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (r2)
    10kOhms
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    35 @ 5mA, 10V
  • vce saturation (max) @ ib, ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    500nA
  • Frequenz - Iwwergank
    -
  • Muecht - max
    250mW
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Fournisseur Apparat Package
    SC-88/SC70-6/SOT-363

NSVMUN5111DW1T3G Ufro en Devis

Op Lager 111955
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.09000
Zilpräis:
Ganzen:0.09000

Informatiounsblat