NTMFS4985NFT3G

NTMFS4985NFT3G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    30 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    17.5A (Ta), 65A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    3.4mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.3V @ 1mA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    30.5 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    2.1 pF @ 15 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Package / Fall
    8-PowerTDFN

NTMFS4985NFT3G Ufro en Devis

Op Lager 30309
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.34000
Zilpräis:
Ganzen:0.34000

Informatiounsblat