SCH1337-TL-H

SCH1337-TL-H

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

P-CHANNEL MOSFET

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • fet Typ
    P-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    30 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    2A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    4V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    150mOhm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    -
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    3.9 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    172 pF @ 10 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    800mW (Ta)
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    6-SCH
  • Package / Fall
    SOT-563, SOT-666

SCH1337-TL-H Ufro en Devis

Op Lager 91773
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.11000
Zilpräis:
Ganzen:0.11000

Informatiounsblat