Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Obsolete
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  30 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  14A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  -
• rds op (max) @ id, vgs
  6.6mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 1mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  27 nC @ 5 V
• vgs (max)
  -
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  2.8 pF @ 10 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  -
• Betribssystemer Temperatur
  -
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  8-PSOP
• Package / Fall
  8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)