Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Tray
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet Fonktioun
  Silicon Carbide (SiC)
• drain to source voltage (vdss)
  1200V (1.2kV)
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  300A (Tc)
• rds op (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 68mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  35000pF @ 10V
• Muecht - max
  1875W
• Betribssystemer Temperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Chassis Mount
• Package / Fall
  Module
• Fournisseur Apparat Package
  Module