DTD113ZUT106

DTD113ZUT106

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - bipolare (bjt) - Single, Pre-biased

Beschreiwung

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    NPN - Pre-Biased
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    500 mA
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    50 V
  • Resistor - Base (r1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (r2)
    10 kOhms
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    82 @ 50mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    500nA
  • Frequenz - Iwwergank
    200 MHz
  • Muecht - max
    200 mW
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    SC-70, SOT-323
  • Fournisseur Apparat Package
    UMT3

DTD113ZUT106 Ufro en Devis

Op Lager 37260
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.55000
Zilpräis:
Ganzen:0.55000

Informatiounsblat