RCX120N25

RCX120N25

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 250V 12A TO220FM

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    250 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    12A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    -
  • vgs(th) (max) @ id
    -
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    -
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    -
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    2.23W (Ta), 40W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220FM
  • Package / Fall
    TO-220-3 Full Pack

RCX120N25 Ufro en Devis

Op Lager 12976
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.50000
Zilpräis:
Ganzen:2.50000

Informatiounsblat