RGS30TSX2DGC11

RGS30TSX2DGC11

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    30 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    45 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • Muecht - max
    267 W
  • Energie wiesselen
    740µJ (on), 600µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    41 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    30ns/70ns
  • Test Zoustand
    600V, 15A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    157 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247N

RGS30TSX2DGC11 Ufro en Devis

Op Lager 8698
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.43000
Zilpräis:
Ganzen:6.43000