RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    16 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    24 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 8A
  • Muecht - max
    94 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    21 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    13ns/33ns
  • Test Zoustand
    400V, 8A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    42 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-262

RGT16NS65DGC9 Ufro en Devis

Op Lager 13806
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.33000
Zilpräis:
Ganzen:2.33000