RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 650V 30A 133W TO-263S

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    30 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    45 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • Muecht - max
    133 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    32 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    18ns/64ns
  • Test Zoustand
    400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    55 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    LPDS (TO-263S)

RGT30NS65DGTL Ufro en Devis

Op Lager 11189
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.95000
Zilpräis:
Ganzen:1.95000

Informatiounsblat