RGTH80TS65DGC11

RGTH80TS65DGC11

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 650V 70A 234W TO-247N

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    70 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    160 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Muecht - max
    234 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    79 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    34ns/120ns
  • Test Zoustand
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    58 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247N

RGTH80TS65DGC11 Ufro en Devis

Op Lager 8657
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
3.88000
Zilpräis:
Ganzen:3.88000

Informatiounsblat