RGTV00TK65DGC11

RGTV00TK65DGC11

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    45 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    200 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Muecht - max
    94 W
  • Energie wiesselen
    1.17mJ (on), 940µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    104 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    41ns/142ns
  • Test Zoustand
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    102 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3PFM

RGTV00TK65DGC11 Ufro en Devis

Op Lager 8690
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.48000
Zilpräis:
Ganzen:6.48000

Informatiounsblat