RGTVX6TS65GC11

RGTVX6TS65GC11

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    144 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    320 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 80A
  • Muecht - max
    404 W
  • Energie wiesselen
    2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    171 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    45ns/201ns
  • Test Zoustand
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247N

RGTVX6TS65GC11 Ufro en Devis

Op Lager 8476
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.59000
Zilpräis:
Ganzen:6.59000

Informatiounsblat