STD12N60DM6

STD12N60DM6

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

Spezifikatioune

  • Serie
    MDmesh™
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    600 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    10A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    -
  • rds op (max) @ id, vgs
    390mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.75V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    17 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    508 pF @ 100 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    90W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    DPAK
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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