Spezifikatioune

• Serie
  SuperMESH3™
• Package
  Tube
• Deel Status
  Not For New Designs
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  1050 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  1.4A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  10V
• rds op (max) @ id, vgs
  11Ohm @ 600mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4.5V @ 50µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  13 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±30V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  180 pF @ 100 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  20W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  ISOWATT-218FX
• Package / Fall
  ISOWATT218FX