STGB4M65DF2

STGB4M65DF2

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

Spezifikatioune

  • Serie
    M
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    8 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    16 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Muecht - max
    68 W
  • Energie wiesselen
    40µJ (on), 136µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    15.2 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    12ns/86ns
  • Test Zoustand
    400V, 4A, 47Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    133 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    D2PAK

STGB4M65DF2 Ufro en Devis

Op Lager 40360
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.50750
Zilpräis:
Ganzen:0.50750

Informatiounsblat